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991.
建立了太阳能喷射-压缩复合制冷系统的实验研究平台,基于EES软件程序进行系统稳态仿真,实验验证了仿真模拟程序的正确性,分析了不同发生温度、中间温度对系统性能的影响。研究表明,在中间温度和冷凝温度不变的情况下,随着发生温度的升高,总功率先降低后升高,系统EER先升高后降低;同时,系统COP呈先逐渐升高而后降低的趋势。在研究范围内,最优发生温度工作区域为78~80℃,此时,系统的总耗功量最小;最优中间温度工作区域为7~10℃,此时,系统制冷量达2 245 W,EER最高为3.39。 相似文献
992.
视频的有效表达是识别行为关键与难点。本文提出了一种改进的特征图串的视频表达方法,在动态规划框架下,利用子模优化方法和图匹配技术实现了行为的识别。首先,利用近年来被广泛应用的时空特征点探测器获取视频序列中的关键点;接着引入子模优化方法完成视频在时域上的划分;然后在每个时域区间内以关键点为节点形成图结构,使得行为视频的特征表示转化为有序的特征图串;最后基于重加权随机游走的图匹配方法和动态时间规整实现成对视频的匹配与对齐。通过两组公开数据集(KTH和UT-interaction)上的实验及与其他方法的比较,验证了本文方法是有效的、可行的。 相似文献
993.
994.
在夏季高温气候沥青混凝土心墙连续多层施工时,为减少等待结合面温度降至规范要求上限值90℃的时间,通过室内试验模拟结合面温度提高后心墙连续两层铺筑的情况,分别研究了结合面温度在90℃、100℃、110℃情况下沥青混凝土的压实性和变形情况,并进行了现场试验论证。室内试验结果表明:心墙沥青混凝土结合面温度降至100℃时,上层沥青混凝土的孔隙率为2.88%,下层沥青混凝土的最大侧向应变值为2.78%;结合面温度为110℃时,上层沥青混凝土的孔隙率为3.85%,下层沥青混凝土的最大侧向应变值为4.00%。现场试验结果表明:结合面温度为100℃时的上层沥青混凝土孔隙率和渗透系数均满足规范要求。因此,沥青混凝土心墙连续多层碾压时,结合面温度提高至100℃的施工质量可以得到保证。 相似文献
995.
为了更好地利用高光谱影像的空间和光谱信息,提出了一种基于稀疏表达模型的高光谱遥感影像目标探测方法.首先通过对影像训练样本进行训练提取过完备字典,利用稀疏表达模型对遥感影像稀疏表达既达到降维的目的,又可以表示出遥感影像的主要信息;然后利用传统的目标探测器结合目标已知光谱信息对高光谱遥感影像进行目标探测,即基于稀疏表达模型的高光谱遥感影像目标探测(SRM-TD).3种影像数据的实验结果表明:在确定的迭代次数下,通过设置稀疏度L可以得到最优的探测结果.提出的探测方法在参数设置、选择和运行结果上优于传统的高光谱遥感影像目标探测方法. 相似文献
996.
为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状与工艺参数的关系不大.裂纹深度从晶圆圆心向外逐渐增大,〈110〉晶向裂纹深度稍大于〈100〉晶向.裂纹深度随砂轮进给速率增大单调增加,随砂轮转速增大单调减小.裂纹深度与晶圆转速之间的关系复杂,晶圆转速增大时,裂纹深度先是减小,然后增大.提出了磨削工艺参数的优化措施. 相似文献
997.
利用溶于介电液中的碳纳米管在外加交变电场作用下极化产生介电泳力和液体粘滞阻力的共同作用,建立了碳纳米管受力和运动模型;对碳纳米管的运动过程进行了仿真,得到了碳纳米管从特定初始点开始的三维运动轨迹和可以实现组装的碳纳米管初始点分布区域.计算了碳纳米管运动过程中所受介电泳力和速度的变化规律,距离电极间隙越近,碳纳米管受力和速度越大,最大分别能达到10-9 N和105μm/s的数量级.仿真结果为碳纳米管介电电泳组装提供指导. 相似文献
998.
采用液-固-溶液法(LSS法)制备了CaF2纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF2纳米粉体的质量更佳。采用坩埚下降法,制备出了位错少,红外透过率大于90%,在紫外到中红外范围内折射率随波长的变化率小,光密度小于0.1,且上下波动范围较小的CaF2光学晶体。通过显微镜、XRD、红外和紫外分光光度计等测试手段对CaF2晶体的物相结构、光学性能及晶体表面性能进行了表征。 相似文献
999.
Single-event charge collection is controlled by drift, diffusion and the bipolar effect. Previous work has established that the bipolar effect is significant in the p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOS) in 90 nm technology and above. However, the consequences of the bipolar effect on P-hit single-event transients have still not completely been characterized in 65 nm technology. In this paper, characterization of the consequences of the bipolar effect on P-hit single-event transients is performed by heavy ion experiments in both 65 nm twin-well and triple-well complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technologies. Two inverter chains with clever layout structures are explored for the characterization. Ge (linear energy transfer (LET) = 37.4 MeV cm2/mg) and Ti (LET = 22.2 MeV cm2/mg) particles are also employed. The experimental results show that with Ge (Ti) exposure, the average pulse reduction is 49 ps (45 ps) in triple-well CMOS technology and 42 ps (32 ps) in twin-well CMOS technology when the bipolar effect is efficiently mitigated. This characterization will provide an important reference for radiation hardening integrated circuit design. 相似文献
1000.
设计了一套利用单元填土模型试验确定累积变形状态阈值的方法。通过有限元计算确定主要受力区作为模型填土空间,以砖墙和砂袋组合形成模型填土非完全侧限边界约束,结合变形测试和循环加载设备构成试验系统。在填土空间内填筑相应压实状态的模型进行循环加载试验,获得累积变形随加载次数的变化曲线,运用"幂次判别法"确定循环荷载作用下累积变形演化状态阈值。选用级配碎石填料进行循环加载试验,验证了基于单元填土模型试验确定累积变形状态阈值的可行性。 相似文献